摩根士丹利上月发布一篇名为《记忆体晶片，寒冬将至》的研究报告，最终被三星、SK 海力士和美光科技 (MU-US) 表现打脸，虽有机构因此看多记忆体晶片，但近日又有多位分析师和机构看衰记忆体晶片前景，像是知名分析师陆行之便指台湾记忆体厂库存普遍高达 11 个月，一旦传统 DRAM 价格下滑，认列库存损失将成为常态。

DRAM 和 NAND 产业再次面临消费需求下降的压力，DRAM 和 NAND 合约价格在短短一个月内跌价近两成。韩媒《theElec》报导指市场已经降温，DRAM 和 NAND 价格已下跌两位数百分比。D

RAMeXchange 指出，DDR4 8Gb 1Gx8 价格上月下跌 17.07% 至 1.7 美元，消费 PC 市场对此兴趣下降，主要因为消费者正在向下一代标準过渡，导致市场速度在最短时间内放缓。此外 128Gb 16Gx8 MLC 的销量也下降了 11.44%。

价格下跌另一原因是记忆体製造商仍处于库存调整阶段，较旧的 DDR4 标準在市场上很难销售，而 DDR5 模组目前需求量很大。虽然 DDR5 正在成为产业主流，但在取代 DDR4 的主导地位上仍有很长的路要走。

根据美光最新财报，库存上升反映出即使云端应用需求成长强劲，但其他终端产品需求仍赶不上上游厂商产能增加，导致去库存速度慢于预期。

其他上游製造商库存管理结果好坏参半。三星电子 DS 部门今年第二季库存价值为 32.331 兆韩元 (约 8410 亿台币），较上一季成长 0.93%，主要原因是在製品库存成长 1.8%，SK 海力士库存则减少 3.53% 至 13.355 兆韩元，库存天数则从 165 天减少至 139 天，威腾(WD) 库存在上季成长至 33.42 亿美元，季增 4%，库存天数则从 119 天增加至 126 天。

业内人士指出，上游製造商抵制降价，下游客户则对下新订单谨慎以待，这一僵局恐导致模组製造商出现大量库存减记损失。影响程度将根据每家公司的产品组合和库存管理策略而有所不同，第四季料将是评估这些风险的关键时期。

陆行之也说，目前记忆体晶片市场库存爆量，连模组龙头金士顿也撑不到一个月，选择降价促销一堆卖不出去的中低级消费型存储，他预估，接下来还会有厂商跟进，尤其是要注意 A-data（威刚）、Transcend（创见）、Phison（群联）的动向。

陆行之进一步指出，记忆体厂将大量库存出售给下游模组厂，导致台湾记忆体模组厂商在今年第二季平均库存高达 7.8 个月，部分公司库存更高达 9 到 11 个月。

Objective Analysis 分析师 Jim Handy 也认为，记忆体市场受到 AI 伺服器需求的人为推动而供应过剩，价格调整即将到来。

知名分析机构 Techinsights 亦在研究报告中强调，必须考虑到 AI 发展突然放缓的可能性。无论是由于宏观经济逆风、投资回报递减或扩展 AI 模型的技术障碍，AI 进展的显着减速都会对记忆体市场产生深远的负面影响。这种停滞恐导致对 HBM、DRAM 和高容量 SSD 需求急降，进而扰乱这些领域的预期成长和投资模式。因此，虽然记忆体市场明年料将大幅成长，但仍极易受到 AI 进展的广泛轨迹的影响。

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